IRLML0040TRPBF Često postavljana pitanja

Preventivne mjere za nestanak napona J-pola: Zaštita od prenapona između registra i izvora: Ako je impedancija između gejta i izvora previsoka, nagla promjena napona između drena i izvora će se povezati sa gejtom preko kapacitivnosti elektrode, što rezultira u vrlo visokom UGS naponu i prekoračenju kapije. Ako se radi o prolaznom UGS naponu u pozitivnom smjeru, uređaj također može imati greške u provodljivosti. Da bi se to postiglo, impedanciju pogonskog kola gejta treba na odgovarajući način smanjiti, a prigušni otpornik ili regulator napona sa stabilizacijom napona od oko 20V treba paralelno povezati između kapije i izvora. Posebnu pažnju treba obratiti na sprečavanje operacija otvaranja vrata.

Zaštita od prenapona između cijevi bez vode: Ako postoji induktivno opterećenje u krugu, iznenadna promjena struje odvoda (di/dt) kada je oprema isključena će uzrokovati prekoračenje napona odvoda, što je mnogo veće od napajanja napon, što dovodi do oštećenja opreme. Treba poduzeti zaštitne mjere kao što su Zener kliješta, RC kliješta ili RC kola.

Primjer: Upotreba zaštitne ploče litijumske baterije kao prekidača za punjenje i pražnjenje

Općenito, MOS je u uključenom ili isključenom stanju, bez obzira na brzinu prebacivanja MOS-a, kolo brzog zatvaranja je dizajnirano na cjelokupnom kolu.

Obratite pažnju na sljedeće tačke:

1. Obratite pažnju na DS napon i ostavite dovoljno prostora za dizajn i odabir. Prema BVDDS 1,5 puta MOS tranzistor

2. Obratite pažnju na radnu struju i struju zaštite. Vrijednost iskustva je 3-4 puta ili više, što je ID (DC) MOS-a.

3. Više MOS-ova je povezano paralelno, a trenutna margina bi trebala biti što veća.

4. Plan upotrebe velike struje treba sveobuhvatno da razmotri rasipanje toplote ambalaže i unutrašnji otpor.

5. Važno je razumjeti pogonski napon i pokušati održati MOS rad u potpuno otvorenom stanju. Za rješenja pokretana mikrokontrolerima, preporučuje se korištenje MOS-a sa niskim otvorenim stanjem što je više moguće.

Osim toga, pri odabiru MOS tranzistora treba obratiti pažnju na tip kanala, BVDDS, ID struju provodljivosti, VGS (th), RDSON i druge parametre