Znanje

MOSFET malog signala sa ESD zaštitom 2n7002k 2n7002k je svestrani MOSFET malog signala koji pruža odličnu ESD zaštitu za razne primjene. Ovaj N-kanalni vertikalni DMOS uređaj je dizajniran za upotrebu

Schottky Barrier Ispravljači SS310 su visoko efikasne komponente sa malim gubicima energije koje su idealne za automatizirano postavljanje. Nude superiorne performanse u poređenju sa standardnim dioda

SMA4748 je vrsta zener diode koja je savršena za aplikacije na površini, sa disipacijom snage od 1.0W. Ove diode su konstruisane epitaksijalnom tehnikom i imaju nisku reverznu struju, što ih čini idea

TL431 je svestran i precizan šant regulator koji nudi širok spektar funkcija za upotrebu u raznim aplikacijama. Ovaj podesivi regulator ima ekvivalentan temperaturni koeficijent punog opsega od samo 5

N-kanalni MOSFET IRLML0060TRPBF je visoko efikasan uređaj koji je dizajniran da pruži optimalne performanse u nizu aplikacija. Ovaj uređaj ima TrenchFET® Power MOSFET dizajn koji pruža superiorne mogu

2N2907A TRAZISTOR: Brzi silicijumski planarni epitaksijalni PNP tranzistor 2N2907A je brzi silicijumski planarni epitaksijalni PNP tranzistor koji se široko koristi u raznim industrijskim i komercijal

Karakteristike provodljivosti MOS tranzistora Kondukcija znači da djeluje kao prekidač, što je ekvivalentno prekidaču koji se zatvara. Karakteristika NMOS-a je da će Vgs provoditi kada pređe određenu

UC3842 čip je kontroler režima struje fiksne frekvencije visokih performansi. Uobičajeni proizvođači su: Onsemi Semiconductor, Fairchild Semi, Texas Instruments, Motorola i druge kompanije. Prema razl

Uvod u princip rada tiristora Tiristorska regulacija brzine je metoda promjene ugla provodljivosti tiristora radi promjene valnog oblika napona terminala motora, čime se mijenja efektivna vrijednost n

Glavni parametri tiristora Nazivna struja stanja (IT) odnosi se na maksimalnu stabilnu radnu struju, obično poznatu kao struja. IT uobičajeno korištenog tiristora je općenito od jednog ampera do nekol

Karakteristike tiristora 1. Prosječna vrijednost sinusoidalne polutalasne struje od 50 Hz koja može kontinuirano prolaziti između anode i katode pod određenim uvjetima pod ocijenjenom na državnom pros

Pakovanje je otprilike prošlo kroz sljedeći razvojni proces: U pogledu strukture. TO → DIP → PLCC → QFP → BGA → CSP. Što se tiče materijala. Metali, keramika, keramika, plastika i plastika. Pin shape.