Uz razvoj IOT-a, koji su novi zahtjevi za diode u komunikacijskim terminalima?

1, Visoka frekvencijska potražnja: 5G i milimetrijska valna komunikacija inovacija u RF diodama
Protiv pozadinske gustoće bazne stanice koja doseže 10 po kvadratnom kilometru i frekvencijskim frekvencijskim frekvencijskim opsegom od milimetra kroz 30GHz, zahtjevi za performansama za komunikacijske terminale za RF diode eksponencijalno su povećavaju. Tradicionalne PIN diode više nisu u stanju da ispune složene funkcionalne zahtjeve poput visokog - frekvencijskog prebacivanja, miješanja i otkrivanja. Gallium nitrid (GAN) zasnovana na visokim rakodima postale su osnovni izbor za novu generaciju komunikacijskih terminala zbog svojih 10 puta veće pokretljivosti elektrona od uređaja na bazi silikona.
Tehnološka probojka Solida Gan High [{0}} Dioda frekvencije postiže brzinu prebacivanja od 0,5ns u frekvencijskom opsegu od 28GHz, što je 80% brže od tradicionalnih uređaja, uz smanjenje gubitka umetanja sa 1,2 dB na 0,3db. Ovaj uređaj je primijenjen na Huawei 5G CPE opremu, poboljšanje efikasnosti prijenosa signala za 35%.
Podaci o tržištu: Prema prognozi Qyresearch, globalna tržišna dioda rasti će u prosječnoj godišnjoj stopi od 1825 do 2030, a pošiljka V2X modela u 2030. godini koristi 77GHz milimetra val radar, koji zahtijeva integraciju 12-visoko - frekvencijske diode po jedinici, Povećanje upotrebe za 300% u odnosu na model prethodne generacije.
2, minijaturizacija i integracija: iteracija tehnologije za pakiranje upravljačkog programa za nošenje uređaja
Prosječna veličina iOT terminalnih uređaja smanjena je za 62% u odnosu na 2015. godinu, koja nameće stroge zahtjeve na gustoći pakiranja diodama. Uzimajući Apple Airpods Pro kao primjer, unutarnje ploče za jednu slušalice je samo 12 mm ², ali treba integrirati šest glavnih funkcionalnih modula kao što su upravljanje napajanjem, bežično punjenje i suzbijanje buke. Tradicionalni paket Sot-23 više ne može udovoljiti prostorima prostora.
Tehnologija ambalaže: Veličina 0201 (0,6 × 0,3 mm) Ultra mala televizorija razvijena od strane Murata Manufacturing koristi 3D tehnologiju slaganja za povećanje važećeg kapaciteta iz 10p do 12V. Ovaj uređaj je primijenjen na NFC modul Xiaomi Mi Band 7, skraćivanje vremena odziva plaćanja na 0,3 sekunde.
Torbica za suradnju u industriji: Samsung Electronics i Anson Semiconductor Cooply DFN1.0 × 1.0 pakiranog Schottky Dioda, što smanjuje otpornost na 8M ω kroz tehnologiju interkonekcije bakra, u odnosu na 72% u odnosu na tradicionalnu pakiranje SOD-123. Ovaj uređaj postiže 98,7% efikasnost pretvorbe energije u modulu bežičnog punjenja Samsung Galaxy Watch 5.
3, visoki sigurnosni zahtjevi: Industrijski internet stvari pokreću pojavu novog zapisa za podatke o podacima
U kontekstu inteligentne proizvodnje, jedinstvena tvornica generira 1,2 Pb industrijskih podataka dnevno, od čega 32% uključuje osnovne parametre procesa. Tradicionalni softverski zaštitni zidovi više ne mogu ispunjavati potražnju za sigurnosnoj arhitekturi "nulte povjerenja" u industrijskim upravljačkim sustavima, a podatkovne diode hardvera postale su ključno rješenje za osiguravanje jednog - prijenosa podataka.
TEHNIČKI NAČELI PROIZVODA: The Tresys Data Diode razvijena od strane sove Cyber ​​odbrana koristi tehnologiju optičke izolacije spojnice za postizanje nekontroličnog prenosa podataka fizičkih slojeva i rješava problem potvrde o TCP / IP protokolu kroz izgrađeni poslužitelj. Nakon raspoređivanja u SIEMENS S7-1500 PLC sistemu, vjerojatnost industrijskih kontrolnih sustava koji su izloženi mrežnim napadima smanjenim za 99,2%.
Predviđanje tržišne veličine: Prema Qiresearch podacima, od globalne tržišne dioničke diodama podataka o industrijskim IOD-u u 2024. godini dostigne 210 miliona američkih dolara, a očekuje se da će 202 miliona američkih dolara podijeliti 2029, sa složenim godišnjim stopom rasta od 11,3%. Među njima, sustavi za nadzor električne energije imaju najveći udio (38%), a slijedi inteligentna proizvodnja (32%) i inteligentni prijevoz (19%).
4, mala potrošnja energije i visoka pouzdanost: LPWan tehnologija preoblikova paradigma diode dizajna
U kontekstu popularizacije niske tehnologije širokog područja (LPWAN-a), kao što su Lora i NB IOT, komunikacijski terminali izneli su stroge zahtjeve za statičke struje i temperaturne karakteristike dioda. Poduzimanje poljoprivrednih IOT senzora kao primer, oni trebaju da rade kontinuirano u okruženju - 40 stepeni do 85 stepeni 10 godina. Struja curenja tradicionalnih silikonskih dioda povećat će se eksponencijalno rastom temperature.
Materijalna inovacija: SIC Schottky Diode koji je razvio Rohm poluvodič može održavati povratnu struju curenja manje od 0,1 μ a na visokim temperaturi od 150 stepeni, što su tri naloge zasnovane od silikona. Ovaj je uređaj primijenjen na modul za pozicioniranje RTK-a DJI poljoprivrednih dronova, produživši vrijeme rada za punjenje od 45 minuta do 72. minuti.
Pouzdanost Standardna nadogradnja: AEC - q101 Certifikat za automobile zahtijeva da prođu 1000 sati visok ({3}} temperaturu u okruženju od 125 stepeni, dok su u okruženju strogih IEC 62443-4-2, zahtijevajući da se uređaji zadrže 10 godina slobodne operacije u ekstremnim okruženjima u rasponu od -55 stepena do 175 stupnjeva.
5, Smjer tehnološke evolucije: integracija poluvodiča treće generacije i optoelektronike
Suočen sa kompozitnom potražnjom za Diode u IOT terminalima, industrija ubrzava svoj proboj prema trećem - generacijskom poluvodičkim materijalima i optoelektronskim tehnologijom integracije
GAN Power uređaj: Infineon Coolgana ™ Serija dioda postigli su aplikacije 200V / 10A i postigla 96,8% efikasnost energije u modulu brzog punjenja Xiaomi 12S ultra pametnih telefona.
SIC fotodiode: Three Electrode FOTODIDE koji je razvio Kineski univerzitet u Kini, koji povećava opseg optičke komunikacije za 60% kroz regulaciju terenskog efekta, pružajući tehničke rezerve za 6G fotoničke integrirane krugove.
Inteligentna dioda: Ti's TPD2E007 Inteligentni ESD zaštitni čip integrira samo dijagnostičku funkciju za praćenje statusa uređaja u realnom vremenu, postizanje 99,99% ESD zaštite uspjeha u Huawei MATE 50 mobilni telefon.
https://www.trrsemicon.com/transistor/voltage{2} birebelatori/bridge{{.3}rektifier-b201.html